- Configuration
- N-CH
- V(DS)
- 100 V
- I(D)at Tc=25°C
- 192 A
- RDS(on)at 10V
- 3.5 mOhm
- Q(g)
- 170 nC
- P(tot)
- 441 W
- R(thJC)
- 0.34 K/W
- Logic level
- NO
- Mounting
- SMD
- Technology
- HEXFET
- Fast bodydiode
- NO
- P(tot)
- NO
- 封装
- D2PAK
- RoHS Status
- RoHS-conform
- 包装
- REEL
- 生产商产品料号
- SP001550868
- 出口控制分类编号
- EAR99
- 海关税号
- 85412900000
- 国家或地区
- China
- ABC 编码
- B
- 生产商交期
- 18 周
Benefits
- Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
- Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
- Lead-Free, RoHS Compliant, Halogen-Free
| Follow-up article |
包装单位
单价 |
库存信息 | ||||
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首选产品
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IPB042N10N3GATMA1N-CH 100V 100A 4mOhm TO263-3
产品料号:
TMOSP9680
封装:
D2PAK
包装:
REEL
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单价
0,9318 $
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包装单位
1000
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库存信息
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价格、交期
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数据手册
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