- Configuration
 - N-CH
 - V(DS)
 - 100 V
 - I(D)at Tc=25°C
 - 192 A
 - RDS(on)at 10V
 - 3.5 mOhm
 - Q(g)
 - 170 nC
 - P(tot)
 - 441 W
 - R(thJC)
 - 0.34 K/W
 - Logic level
 - NO
 - Mounting
 - SMD
 - Technology
 - HEXFET
 - Fast bodydiode
 - NO
 - P(tot)
 - NO
 - 封装
 - D2PAK
 - RoHS Status
 - RoHS-conform
 - 包装
 - REEL
 
- 生产商产品料号
 - SP001550868
 - 出口控制分类编号
 - EAR99
 - 海关税号
 - 85412900000
 - 国家或地区
 - China
 - ABC 编码
 - B
 - 生产商交期
 - 18 周
 
Benefits
- Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
 - Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
 - Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
 - Lead-Free, RoHS Compliant, Halogen-Free
 
| Follow-up article | 
                    包装单位
                     单价  | 
                库存信息 | ||||
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                                            首选产品
                                     
             | 
    
    
            
    
    IPB042N10N3GATMA1N-CH 100V 100A 4mOhm TO263-3
                    
                产品料号:
                TMOSP9680
            
                                    
                封装: 
                D2PAK
            
                            
                包装:
                REEL
            
             
 |     
    
     单价 
    
                             0,9192 $
                 
                 
                     
     | 
     包装单位 
    
             1000 
         	
     | 
    
     库存信息 
     |     
    
   
        
        
            价格、交期
        
   
    
            
            
            
                查找替代产品
            
        
    
    
            
            
            
                数据手册
            
        
        
        
        
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