High Voltage MOSFETs (>=300V)
| 描述 | 单价 | 包装单位 | 库存信息 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS9N60ATRRPBFN channel VBRDSS 600 V RDSon 750 mO |
单价
请询问
|
包装单位
800
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
IRFSL11N50APBFN channel VBRDSS 500 V RDSon 550 mO |
单价
请询问
|
包装单位
50
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
IRFSL9N60APBFN channel VBRDSS 600 V RDSon 750 mO |
单价
请询问
|
包装单位
50
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
IRFU1N60APBFN channel VBRDSS 600 V RDSon 7000 m |
单价
请询问
|
包装单位
75
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
IRFU430APBFN channel VBRDSS 500 V RDSon 1700 m |
单价
请询问
|
包装单位
75
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
IRFU9214PBFP channel VBRDSS -250 V RDSon 3000 |
单价
请询问
|
包装单位
75
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
MXP120A045FE-T1GE3MaxSiC 1200 V N-Channel SiC MOSFET |
单价
请询问
|
包装单位
800
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
MXP120A045FL-GE3MaxSiC 1200 V N-Channel SiC MOSFET |
单价
请询问
|
包装单位
30
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
MXP120A045FW-GE3MaxSiC 1200 V N-Channel SiC MOSFET |
单价
请询问
|
包装单位
30
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
MXP120A080FE-T1GE3MaxSiC 1200 V N-Channel SiC MOSFET |
单价
请询问
|
包装单位
800
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
MXP120A080FL-GE3MaxSiC 1200 V N-Channel SiC MOSFET |
单价
请询问
|
包装单位
30
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
MXP120A250FL-GE3MaxSiC 1200 V N-Channel SiC MOSFET |
单价
请询问
|
包装单位
30
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
MXP120A250FW-GE3MaxSiC 1200 V N-Channel SiC MOSFET |
单价
请询问
|
包装单位
30
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
SIHA11N80E-GE3Not Recommended for New Designs, check |
单价
请询问
|
包装单位
50
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
SIHA15N80AEF-GE3EF Series Power MOSFET With Fast Body D |
单价
请询问
|
包装单位
50
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
SiHA17N80AEF-GE3EF Series Power MOSFET With Fast Body D |
单价
请询问
|
包装单位
50
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
SIHA17N80E-E3Not Recommended for New Designs, check |
单价
请询问
|
包装单位
50
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
SIHA17N80E-GE3Not Recommended for New Designs, check |
单价
请询问
|
包装单位
50
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
SIHA18N60E-E3Not Recommended for New Designs, check |
单价
请询问
|
包装单位
50
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
|
SIHA18N60E-GE3Not Recommended for New Designs, check |
单价
请询问
|
包装单位
50
|
库存信息
请询问
|
价格、交期
| |
1721 - 1740 的 2009 产品